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碳化硅CoolSiC™ - 基于SiC的功率半导体解决方案，可帮助我们更进一步地迈向智慧能源世界
- 发布时间：2020/8/19来源：深圳赛普半导体有限公司
- 碳化硅（SiC）器件属于宽禁带半导体，与常用的硅（Si）技术相比，它们可为高压功率半导体带来许多富有吸引力的特性。由于拥有更大的击穿场强和热导率，SiC可以打造出性能远优于Si技术的半导体器件，从而让您能在设计中达到无与伦比的效率水平。产品系列包含CoolSiC™ MOSFET模块和分立器件，CoolSiC™肖特基二极管，另外还有CoolSiC™混合模块。将它们与合适的EiceDRIVER™相结合，可以充分发挥出您的设计。基于硅的快速开关与SiC二极管结合在一起，可以得到通常所称的“混合”解决方案。近年来，英飞凌已生产出数以百万计的混合模块，这些模块已被安装到客户在太阳能和UPS等应用领域的各种产品中。我们的CoolSiC™ MOSFET是采用最先进的沟槽工艺打造的，可在应用中实现最低损耗，在运行时达到最高可靠度。因为整合了革命性的碳化硅（SiC）技术、广泛的系统理解、优质的封装和卓越的制造能力，英飞凌CoolSiC™可让您打造出系统性价比最优的全新产品设计。
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